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碳化矽陶瓷反應燒結工藝的簡單介紹

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碳化矽陶瓷反應燒結工藝的簡單介紹

發布日期:2018-10-30 作者: 點擊:

碳化矽陶瓷燒結方法一般分為反應燒結、熱壓燒結、無壓燒結、熱等壓燒結等,目前國內普遍應用的就是反應燒結。下麵就碳化矽陶瓷反應燒結的工藝做簡單介紹:


反應燒結碳化矽陶瓷的製備工藝較為簡單,它直接采用一定顆粒級配的碳化矽微粉,與碳混合後成型生坯,然後在高溫下進行滲矽,部分矽與碳反應生產碳化矽與原來坯體中的碳化矽結合,達到燒結目的。


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滲矽的方法有兩種:一種是溫度達到矽的熔融溫度,產生矽的液相,通過毛細管的作用,矽直接進入坯體與碳反應生產碳化矽至燒結;另一種是溫度大於矽的熔融溫度,產生矽的蒸氣,通過矽蒸氣深入坯體達到燒結目的。


前一種方法燒結後殘留的遊離矽一般較多,通常達到10%-15%,有時會達到15%以上;用氣相法滲矽,由於坯體的預留氣孔可以盡量少,燒結後的遊離矽含量可降低到10%。


反應燒結碳化矽的燒結溫度範圍為1450—1700度,碳與碳化矽的骨架可以預先車削成任何形狀,且燒結時坯體的收縮僅在3%以內,這有利於產品尺寸控製。采用的原料像碳化矽、C結合劑等均無需特殊處理,用該工藝製備的碳化矽燒結體的生產成本較低。


但是,改工藝決定了燒結坯體中殘留遊離矽,這部分對以後產品的應用產生影響,一方麵使得燒結體的強度和耐磨性下降,另一方麵遊離矽的存在降低了碳化矽的耐酸堿性能。

本文網址:/news/385.html

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